♦Alüminium oksidi (Al2O3)
ZhongHui Ağıllı İstehsalat Qrupu (ZHHIMG) tərəfindən istehsal olunan dəqiq keramika hissələri yüksək təmizlikli keramika xammalından, 92 ~ 97% alüminium oksidindən, 99,5% alüminium oksidindən,> 99,9% alüminium oksidindən və CIP soyuq izostatik presləmədən hazırlana bilər.Yüksək temperaturda sinterləmə və dəqiq emal, ± 0,001 mm ölçülü dəqiqlik, Ra0,1-ə qədər hamarlıq, 1600 dərəcəyə qədər istifadə temperaturu.Müştərilərin tələblərinə uyğun olaraq müxtəlif rənglərdə keramika hazırlana bilər, məsələn: qara, ağ, bej, tünd qırmızı və s. Şirkətimiz tərəfindən istehsal olunan dəqiq keramika hissələri yüksək temperatura, korroziyaya, aşınmaya və izolyasiyaya davamlıdır və yüksək temperaturda, vakuumda və aşındırıcı qaz mühitində uzun müddət istifadə olunur.
Müxtəlif yarımkeçirici istehsal avadanlıqlarında geniş istifadə olunur: Çərçivələr (keramik mötərizə), Substrat (əsas), Qol/Körpü (manipulyator), Mexanik Komponentlər və Seramik Hava Yatağı.
| Məhsulun adı | Yüksək Saflıqda 99 Alumina Seramik Kvadrat Boru / Boru / Çubuq | |||||
| indeks | Vahid | 85 % Al2O3 | 95 % Al2O3 | 99 % Al2O3 | 99,5 % Al2O3 | |
| Sıxlıq | q/sm3 | 3.3 | 3.65 | 3.8 | 3.9 | |
| Su udma | % | <0.1 | <0.1 | 0 | 0 | |
| Sinterlənmiş Temperatur | ℃ | 1620 | 1650 | 1800 | 1800 | |
| Sərtlik | Mohs | 7 | 9 | 9 | 9 | |
| Bükülmə Gücü (20 ℃)) | Mpa | 200 | 300 | 340 | 360 | |
| Təzyiq gücü | Kgf/sm2 | 10000 | 25000 | 30000 | 30000 | |
| Uzun müddət işləmə temperaturu | ℃ | 1350 | 1400 | 1600 | 1650 | |
| Maks.İş temperaturu | ℃ | 1450 | 1600 | 1800 | 1800 | |
| Həcm müqaviməti | 20℃ | Ω.sm3 | >1013 | >1013 | >1013 | >1013 |
| 100℃ | 1012-1013 | 1012-1013 | 1012-1013 | 1012-1013 | ||
| 300 ℃ | >109 | >1010 | >1012 | >1012 | ||
Yüksək saflıqda alüminium oksidi keramika tətbiqi:
1. Yarımkeçirici avadanlığa tətbiq olunur: keramika vakuum çubuq, kəsici disk, təmizləyici disk, keramika çəngəl.
2. Vafli ötürmə hissələri: vafli daşıma çubuqları, vafli kəsici disklər, vafli təmizləmə diskləri, vafli optik yoxlama sorma fincanları.
3. LED / LCD düz panel ekran sənayesi: keramika nozzle, keramika daşlama diski, LİFT PIN, PIN rels.
4. Optik rabitə, günəş sənayesi: keramika borular, keramika çubuqlar, dövrə lövhəsi ekran çapı keramika kazıyıcıları.
5. İstiliyədavamlı və elektrik izolyasiya edən hissələr: keramika podşipnikləri.
Hazırda alüminium oksid keramika yüksək təmizliyə və ümumi keramikaya bölünə bilər.Yüksək təmizlikli alüminium oksid keramika seriyası tərkibində 99,9%-dən çox Al₂O₃ olan keramika materialına aiddir.1650 - 1990°C-ə qədər sinterləmə temperaturu və 1 ~ 6μm ötürücü dalğa uzunluğuna görə, adətən platin pota əvəzinə əridilmiş şüşəyə emal edilir: işıq keçiriciliyi və korroziyaya davamlılığına görə natrium borusu kimi istifadə edilə bilər. qələvi metal.Elektronika sənayesində IC substratları üçün yüksək tezlikli izolyasiya materialı kimi istifadə edilə bilər.Alüminium oksidin müxtəlif məzmununa görə, ümumi alüminium oksid keramika seriyası 99 keramika, 95 keramika, 90 keramika və 85 keramikaya bölünə bilər.Bəzən 80% və ya 75% alüminium oksidi olan keramika da ümumi alüminium oksid keramika seriyası kimi təsnif edilir.Onların arasında 99 alüminium oksid keramika materialı yüksək temperaturlu tige, odadavamlı soba borusu və keramika podşipnikləri, keramika möhürləri və klapan lövhələri kimi aşınmaya davamlı xüsusi materialların istehsalı üçün istifadə olunur.95 alüminium keramika əsasən korroziyaya davamlı aşınmaya davamlı hissə kimi istifadə olunur.85 keramika tez-tez bəzi xüsusiyyətlərdə qarışdırılır və bununla da elektrik performansını və mexaniki gücü artırır.Molibden, niobium, tantal və digər metal möhürlərdən istifadə edə bilər və bəziləri elektrik vakuum cihazları kimi istifadə olunur.
| Keyfiyyətli maddə (təmsilçi dəyər) | Məhsulun adı | AES-12 | AES-11 | AES-11C | AES-11F | AES-22S | AES-23 | AL-31-03 | |
| Kimyəvi Tərkibi Aşağı Natrium Asan Sinterləmə Məhsulu | H₂O | % | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 |
| LOl | % | 0.1 | 0.2 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | |
| Fe₂0₃ | % | 0.01 | 0.01 | 0.01 | 0.01 | 0.01 | 0.01 | 0.01 | |
| SiO₂ | % | 0.03 | 0.03 | 0.03 | 0.03 | 0.02 | 0.04 | 0.04 | |
| Na₂O | % | 0.04 | 0.04 | 0.04 | 0.04 | 0.02 | 0.04 | 0.03 | |
| MgO* | % | - | 0.11 | 0,05 | 0,05 | - | - | - | |
| Al₂0₃ | % | 99.9 | 99.9 | 99.9 | 99.9 | 99.9 | 99.9 | 99.9 | |
| Orta hissəcik diametri (MT-3300, lazer analiz üsulu) | μm | 0.44 | 0.43 | 0.39 | 0.47 | 1.1 | 2.2 | 3 | |
| α Kristal Ölçüsü | μm | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0,3 ~ 1,0 | 0,3 ~ 4 | 0,3 ~ 4 | |
| Formalaşma Sıxlığı** | q/sm³ | 2.22 | 2.22 | 2.2 | 2.17 | 2.35 | 2.57 | 2.56 | |
| Sinterləmə Sıxlığı** | q/sm³ | 3.88 | 3.93 | 3.94 | 3.93 | 3.88 | 3.77 | 3.22 | |
| Sinterləmə xəttinin daralma dərəcəsi** | % | 17 | 17 | 18 | 18 | 15 | 12 | 7 | |
* MgO Al₂O₃ saflığının hesablanmasına daxil edilmir.
* Tökmə tozu yoxdur 29.4MPa (300kg/sm²), sinterləmə temperaturu 1600°C-dir.
AES-11 / 11C / 11F: 0,05 ~ 0,1% MgO əlavə edin, sinterləşmə əladır, buna görə də təmizliyi 99% -dən çox olan alüminium oksid keramika üçün tətbiq olunur.
AES-22S: Yüksək formalaşma sıxlığı və sinterləmə xəttinin aşağı büzülmə sürəti ilə xarakterizə olunur, sürüşmə formalı tökmə və tələb olunan ölçü dəqiqliyi ilə digər iri miqyaslı məhsullara tətbiq olunur.
AES-23 / AES-31-03: AES-22S-dən daha yüksək formalaşma sıxlığına, tiksotropiyaya və daha aşağı özlülüyünə malikdir.birincisi keramika üçün istifadə olunur, ikincisi isə odadavamlı materiallar üçün su reduktoru kimi istifadə olunur və populyarlıq qazanır.
♦Silikon Karbid (SiC) Xüsusiyyətləri
| Ümumi Xüsusiyyətlər | Əsas komponentlərin təmizliyi (ağırlıq%) | 97 | |
| Rəng | Qara | ||
| Sıxlıq (q/sm³) | 3.1 | ||
| Su udma (%) | 0 | ||
| Mexaniki Xüsusiyyətlər | Bükülmə gücü (MPa) | 400 | |
| Gənc modul (GPa) | 400 | ||
| Vickers sərtliyi (GPa) | 20 | ||
| İstilik xüsusiyyətləri | Maksimum işləmə temperaturu (°C) | 1600 | |
| Termal genişlənmə əmsalı | RT~500°C | 3.9 | |
| (1/°C x 10-6) | RT~800°C | 4.3 | |
| İstilik keçiriciliyi (W/m x K) | 130 110 | ||
| Termal zərbə müqaviməti ΔT (°C) | 300 | ||
| Elektrik Xüsusiyyətləri | Həcm müqaviməti | 25°C | 3 x 106 |
| 300°C | - | ||
| 500°C | - | ||
| 800°C | - | ||
| Dielektrik sabiti | 10 GHz | - | |
| Dielektrik itkisi (x 10-4) | - | ||
| Q Faktoru (x 104) | - | ||
| Dielektrik parçalanma gərginliyi (KV/mm) | - | ||
♦Silikon Nitrid Keramika
| Material | Vahid | Si₃N₄ |
| Sinterləmə üsulu | - | Qaz təzyiqi ilə sinterlənmiş |
| Sıxlıq | q/sm³ | 3.22 |
| Rəng | - | Tünd Boz |
| Su udma dərəcəsi | % | 0 |
| Gənc Modulu | Gpa | 290 |
| Vickers sərtliyi | Gpa | 18 - 20 |
| Təzyiq gücü | Mpa | 2200 |
| Bükülmə Gücü | Mpa | 650 |
| İstilikkeçirmə | W/mK | 25 |
| Termal Zərbə Müqaviməti | Δ (°C) | 450 - 650 |
| Maksimum işləmə temperaturu | °C | 1200 |
| Həcm müqaviməti | Ω·sm | > 10 ^ 14 |
| Dielektrik sabiti | - | 8.2 |
| Dielektrik Gücü | kV/mm | 16 |